2N3250
Bipolar Transistors - BJT TO-18 PNP GEN PUR SS
在庫：6,944
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部品番号 : 2N3250
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パッケージ/ケース : TO-18-3
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ブランド : CENTRAL
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コンポーネントのカテゴリ : Single Bipolar Transistors
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日付シート : 2N3250 データシート (PDF)
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Series : 2N3250
概要 2N3250
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 360 mW Through Hole TO-18
応用
SWITCHING仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Pbfree Code | No | Rohs Code | No |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.21.00.75 | Samacsys Manufacturer | Central Semiconductor |
| Collector Current-Max (IC) | 0.2 A | Collector-Base Capacitance-Max | 6 pF |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 40 V | Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 15 | JEDEC-95 Code | TO-18 |
| JESD-30 Code | O-MBCY-W3 | JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 200 °C | Operating Temperature-Min | -65 °C |
| Package Body Material | METAL | Package Shape | ROUND |
| Package Style | CYLINDRICAL | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | PNP | Power Dissipation Ambient-Max | 0.36 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1.2 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Terminal Form | WIRE | Terminal Position | BOTTOM |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 250 MHz |
| Turn-off Time-Max (toff) | 225 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 70 ns |
| VCEsat-Max | 0.5 V |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
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部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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