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2N3507

2N3507 Product Overview: Power Bipolar Transistor - BJT

在庫：4,053

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概要 2N3507

Housed in a TO-39 package, the 2N3507 features three leads for easy connection - the emitter, base, and collector. Its maximum power dissipation of 625mW makes it a suitable choice for low to medium power applications, providing a balance between performance and efficiency

主な特長

  • Wide common-mode rejection ratio
  • Good immunity to electromagnetic interference
  • Compact DIP-16 package

応用

  • Power circuits
  • Signal processing
  • Switching systems

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS N
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-39-3
Transistor Polarity NPN Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV
Maximum DC Collector Current 3 A Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 200 C
Brand Microchip Technology DC Collector/Base Gain hfe Min 35 at 500 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max 175 at 500 mA, 1 V Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 1 Subcategory Transistors
Technology Si

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