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2N3636

PNP Bipolar Junction Transistor

在庫：3,345

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概要 2N3636

In addition, the 2N3636 boasts excellent noise figure characteristics, with a low 5dB noise figure that minimizes signal distortion and interference in high-frequency amplification tasks. Its moderate DC current gain range of 100-300 guarantees stable and consistent operation in various circuit configurations, providing peace of mind to designers and engineers alike

主な特長

  • This transistor can amplify or switch signals.
  • It's used in many electronic devices.
  • Its power dissipation is relatively low

応用

  • A versatile choice for amplification
  • Compact and cost-effective
  • Reliable performance in various circuits

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS N
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-39-3
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 175 V Collector- Base Voltage VCBO 175 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Maximum DC Collector Current 1 A Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 200 C
Brand Microchip Technology DC Collector/Base Gain hfe Min 50 at 50 mA, 10 VDC
DC Current Gain hFE Max 150 at 50 mA, 10 VDC Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 1 Subcategory Transistors
Technology Si Unit Weight 0.205840 oz

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