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2N6661

Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39

在庫：7,791

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概要 2N6661

Featuring an enhancement-mode design, the 2N6661 transistor delivers the best of both worlds by combining the power handling capabilities of bipolar transistors with the advantages of MOS devices. Its vertical DMOS structure ensures high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds, making it well-suited for applications where precision and efficiency are key. Additionally, the transistor's silicon-gate manufacturing process guarantees reliability and consistency in performance, even under extreme conditions

主な特長

    • Free from secondary breakdown
    • Low power drive requirement
    • Ease of paralleling
    • Low CISS and fast switching speeds
    • Excellent thermal stability
    • Integral source-drain diode
    • High input impedance and high gain

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-39-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 10 V
Id - Continuous Drain Current 350 mA Rds On - Drain-Source Resistance 4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 800 mV
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 6.25 W Channel Mode Enhancement
Brand Microchip Technology Configuration Single
Forward Transconductance - Min 170 mS Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type FET
Typical Turn-Off Delay Time 10 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Unit Weight 0.039133 oz

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