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2N7002

60V, 7.5 Ohm, N-Channel, Enhancement-Mode, Vertical DMOS FET.

在庫：7,013

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概要 2N7002

The 2N7002 transistor stands out as a remarkable advancement in the field of semiconductor design. By utilizing a vertical DMOS structure and state-of-the-art silicon-gate manufacturing process, this enhancement-mode transistor delivers outstanding performance characteristics. Its ability to handle power efficiently, combined with a high input impedance and positive temperature coefficient, sets it apart from conventional transistors. With superior resistance to thermal issues and secondary breakdown, the 2N7002 is a reliable choice for sophisticated electronic applications

主な特長

  • High density cell design for extremely low RDS(ON).
  • Voltage controlled small signal switch.
  • Rugged and Reliable.
  • High saturation current capability.

応用

  • Motor Control
  • Power Management Functions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

IDpuls max 1.2 A RthJA max 250.0 K/W
Ptot max 0.5 W VDS max 60.0 V
ID max 0.3 A Package SOT-23
Special Features Small Signal RDS (on) max 3000.0 mΩ
Polarity N VGS(th) max 2.5 V
VGS(th) min 1.5 V Operating Temperature max 150.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

保証と返品

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