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2SA2059

Bipolar transistors

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概要 2SA2059

High-Speed Switching ApplicationsDC-DC Converter ApplicationsStrobe Applications• High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = −0.5 A)• Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.19 V (max)• High-speed switching: tf = 40 ns (typ.)

応用

SWITCHING
TOSHIBA Inventory

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid 2SA2059 Pbfree Code No
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer TOSHIBA CORP Part Package Code SC-62
Package Description SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 Pin Count 3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer Toshiba Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 3 A Collector-Emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 100
JESD-30 Code R-PSSO-F3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Form FLAT Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Product Category Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SC-62-3
Transistor Polarity PNP Collector- Emitter Voltage VCEO Max 20 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 190 mV Maximum DC Collector Current 5 A
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series 2SA Brand Toshiba
Continuous Collector Current - 3 A DC Collector/Base Gain hfe Min 200
DC Current Gain hFE Max 500 Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors

保証と返品

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  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

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