2SD2012

Name: 2SD2012
Brand: Stmicroelectronics
Rating: 4.5 (10 reviews)

Bipolar Transistors - BJT NPN Silcon Pwr Trans

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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F

SWITCHING

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	RoHS	Details
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-220F-3
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	3 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Gain Bandwidth Product fT	3 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2SD2012
Brand	STMicroelectronics	DC Collector/Base Gain hfe Min	20
DC Current Gain hFE Max	320	Height	9.39 mm
Length	10.36 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.9 mm
Unit Weight	0.127339 oz

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