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2SK209-BL(TE85L,F)

Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 150mW; SC59; Igt:10mA

在庫：6,768

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概要 2SK209-BL(TE85L,F)

Introducing the 2SK209-BL(TE85L,F) JFET, a high-performance N-channel transistor tailored for a diverse range of electronic applications. Boasting a Gate Source Breakdown Voltage of 50V, this JFET offers robust protection against voltage spikes, ensuring reliable operation in demanding environments. The 14mA Zero Gate Voltage Drain Current feature promotes energy efficiency, making it an excellent choice for battery-operated devices. With a Gate Source Cutoff Voltage of 1.5V, precise signal control is achievable, enhancing the performance of your circuits. Equipped with 3 pins for easy connectivity and an Operating Temperature Max of 125°C, this JFET is engineered to deliver consistent performance under extreme temperatures. Plus, its RoHS compliance underscores its commitment to sustainable and eco-friendly electronics manufacturing practices

主な特長

LOW NOISE

応用

AMPLIFIER

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active FET Type N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 50 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 14 mA @ 10 V
Current Drain (Id) - Max 14 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1.5 V @ 100 nA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Power - Max 150 mW
Operating Temperature 125°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package SC-59
Base Product Number 2SK209

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

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    返品・交換：90日以内

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