2SK3798(STA4,Q,M)

Name: 2SK3798(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH Si 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

在庫：5,133

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N-Channel 900 V 4A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Toshiba	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	SC-67-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V	Id - Continuous Drain Current	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.5 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	26 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	40 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	MOSIV	Series	2SK3798
Brand	Toshiba	Configuration	Single
Fall Time	45 ns	Forward Transconductance - Min	1.4 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	20 ns
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	165 ns
Typical Turn-On Delay Time	65 ns	Unit Weight	0.059966 oz

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