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BDV64

Darlington Transistors 125W 12A PNP

在庫：6,754

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概要 BDV64

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Pbfree Code No Rohs Code No
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer Central Semiconductor Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 12 A Collector-Emitter Voltage-Max 60 V
Configuration DARLINGTON DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JEDEC-95 Code TO-218 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 125 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 60 MHz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。