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BFR96TS

BFR96TS is utilized as a Bipolar Junction Transistor in various applications

在庫：8,112

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概要 BFR96TS

Features• High power gain• Low noise figure• High transition frequency• Lead (Pb)-free component• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/ECApplications    RF amplifier up to GHz range specially for wide band antenna amplifier.

主な特長

  • High power gain
  • Low noise figure
  • High transition frequency
  • Lead (Pb)-free component
  • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 15 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V Emitter- Base Voltage VEBO 2.5 V
Maximum DC Collector Current 100 mA Pd - Power Dissipation 700 mW
Gain Bandwidth Product fT 5 GHz Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand onsemi / Fairchild DC Collector/Base Gain hfe Min 25 at 70 mA, 10 V
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Subcategory Transistors
Technology Si

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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