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BS250P

P-channel MOSFET,BS250P 0.23A 45V

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概要 BS250P

The BS250P is a small signal field-effect transistor that is designed for low power applications. With a maximum drain current of 0.23A and a drain-source voltage of 45V, this P-channel silicon MOSFET is ideal for use in circuits that require precise control of small electrical signals. The TO-92 compatible package makes it easy to integrate into existing circuit designs, while the E-line package-3 provides added protection against environmental factors

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-92-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 45 V
Id - Continuous Drain Current 230 mA Rds On - Drain-Source Resistance 14 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 700 mW Channel Mode Enhancement
Series BS250 Brand Diodes Incorporated
Configuration Single Height 4.01 mm
Length 4.77 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 4000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Type FET Width 2.41 mm
Unit Weight 0.016000 oz

保証と返品

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