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BSC100N06LS3 G

Transistor MOSFET with Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) of 100mOhm

在庫：4,543

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概要 BSC100N06LS3 G

主な特長

  • Packaging Options
  • Voltage and Current
  • Efficiency Levels
  • Performance Metrics
  • Parameter Settings
  • Component Properties

応用

  • Electric vehicles
  • UPS
  • Motor control systems

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

IDpuls max 200.0 A Ptot max 50.0 W
VDS max 60.0 V Polarity N
RDS (on) max 17.9 mΩ Package SuperSO8 5x6
ID max 50.0 A VGS(th) max 2.2 V
VGS(th) min 1.2 V Operating Temperature max 150.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。