BSM30GP60B2BOSA1
IGBT Module Full Bridge 600 V 50 A 180 W Chassis Mount Module
在庫:3,829
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部品番号 : BSM30GP60B2BOSA1
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パッケージ/ケース : Module
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Brand : Infineon Technologies
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Components Classification : IGBT Modules
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日付シート : BSM30GP60B2BOSA1 データシート (PDF)
概要 BSM30GP60B2BOSA1
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 BSM30GP60B2BOSA1 ドライバー、プロデュース Infineon Technologies. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 BSM30GP60B2BOSA1.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Package | Tray | Product Status | Obsolete |
Configuration | Full Bridge | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A | Power - Max | 180 W |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A | Current - Collector Cutoff (Max) | 500 µA |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.6 nF @ 25 V | Input | Three Phase Bridge Rectifier |
NTC Thermistor | Yes | Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | Module |
Supplier Device Package | Module | Base Product Number | BSM30G |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
BSC030N08NS5ATMA1
Tape and Reel Packaging for Automated Assembly
BSC035N10NS5ATMA1
High-current N-Channel MOSFET
BSC046N10NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
BSP170PH6327XTSA1
SIPMOS transistor BSP170PH6327XTSA1 designed for high efficiency and low power consumption
BSH103,235
TO-236AB package
BBS3002-TL-1E
With a voltage rating of 60V and a maximum current of 100A
BCM857BS,115
5V 100mA 2PCSPNP SOT-363
BS170FTA
N-channel SOT-23 MOSFET with a rating of 60 volts and a current consumption of 150 microamps at 5 ohms when supplied with 10 volts
BSB044N08NN3GXUMA1
N-type Silicon MOSFET Transistor with 80V Voltage Rating and 18A Current Capacity for Automotive Applications
BSC009NE2LS5ATMA1
Transistor MOSFET N-channel 25V 41A 8-pin TDSON EP tape and reel
IXFH36N50P
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A3T23H300W23SR6
300-2400 MHz, Average Power of 63 Watts, 30 Volts
FDS4410A
Transistor MOSFET that is designed as a N-channel type for use in electronic circuits
UMD12NTR
Compliance: ROHS certified for environmental standards
SMP3003-DL-1E
P-Channel Power MOSFET -75V -100A 8 mOhm TO-263-2L/TO-263
IXXK200N65B4
Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150W 3-Pin(3+Tab) TO-264
SISS65DN-T1-GE3
P-Channel 30 V (D-S) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8S
VMO1200-01F
Featuring 100V maximum voltage rating and 12A continuous current capacity
PDTA114TT,215
Describing PDTA114TT,215: It belongs to the PDTA114T series, incorporating PNP transistors with built-in resistors
XPH4R714MC,L1XHQ
The MOSFET features an EP T/R packaging for easy handling and installation in automotive electronics