BSO613SPV G

Name: BSO613SPV G
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

It can handle a power dissipation of 2.5W with a gate-source voltage of 3V at 1mA

数量	単価(USD)	合計金額
1	$1.036	$1.04
200	$0.400	$80.00
500	$0.387	$193.50
1000	$0.380	$380.00

在庫：5,614

*価格は参考値です。

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部品番号 : BSO613SPV G
パッケージ/ケース : 8-SOIC
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSO613SPV G データシート (PDF)
Series : BSO613

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概要 BSO613SPV G

Infineon's OptiMOS™ p-channel power MOSFETs, like product BSO613SPV G, are redefining the possibilities in power system design. These cutting-edge components deliver unmatched performance and quality, meeting the highest industry standards for on-state resistance and figure of merit. Designers and engineers can depend on the reliability and efficiency of these MOSFETs to enhance the performance of their power systems and meet the challenges of modern power electronics

主な特長

Dual N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
150°C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
Green Product (RoHS compliant)
AEC Qualified

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	SIPMOS®	Product Status	Obsolete
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.44A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	875 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-DSO-8
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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返品・返金：90日以内

返品・交換：90日以内
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