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BUP313D

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

在庫：8,815

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概要 BUP313D

The BUP313D transistor is a powerhouse when it comes to high-voltage, high-speed switching applications. With a maximum collector current of 5A and a collector-base voltage of 700V, this silicon NPN epitaxial planar transistor is designed to handle demanding tasks with ease. Its TO-220F package not only ensures excellent thermal performance but also allows for hassle-free mounting on a PCB, making it a convenient choice for various electronic projects

主な特長

  • High-efficiency energy conversion
  • Over-voltage protection
  • Rapid recovery time
  • Low electromagnetic radiation

応用

  • Data center circuits
  • Renewable energy control
  • Hybrid motor applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-218-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Continuous Collector Current Ic Max 32 A
Height 12.5 mm Length 15 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 250
Subcategory IGBTs Width 4.9 mm

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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