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BUT232V

NPN Bipolar Junction Transistor 300V 140A 300000mW 4-Pin ISOTOP Package

在庫：5,949

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概要 BUT232V

The BUT232V transistor is designed for high-power applications, with a collector-emitter voltage rating of 300V and a maximum power dissipation of 300W. With a DC current gain of 17hFE and a maximum operating temperature of 150°C, this NPN transistor is suitable for a wide range of industrial and automotive uses

主な特長

  • Compact and lightweight design achieved
  • Ease of use and installation guaranteed
  • Low maintenance requirements assured

応用

  • Solar inverters
  • Industrial systems
  • Power management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style Through Hole Package / Case ISOTOP
Transistor Polarity NPN Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V Maximum DC Collector Current 140 A
Pd - Power Dissipation 300 W Series BUT232
Brand STMicroelectronics Continuous Collector Current 140 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 17 Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 10 Subcategory Transistors
Technology Si

保証と返品

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  • QAと返品ポリシー

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    返品・交換：90日以内

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