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CA3127E

DIP-Packaged Independent Bipolar Junction Transistor Array

在庫：8,457

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概要 CA3127E

主な特長

  • Gain Bandwidth Product (fT). . . . . . . . . . . . . . . .>1GHz
  • Power Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . 30dB (Typ) at 100MHz
  • Noise Figure . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB (Typ) at 100MHz
  • Five Independent Transistors on a Common Substrate

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT Package / Case PDIP-16
Transistor Polarity NPN Configuration Quint
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 15 V Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 4 V Maximum DC Collector Current 20 mA
Pd - Power Dissipation 85 mW Gain Bandwidth Product fT 1 GHz
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 125 C
Brand Renesas / Intersil DC Collector/Base Gain hfe Min 35 at 5 mA, 6 V
Height 4.95 mm Length 19.68 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Subcategory Transistors
Technology Si Width 7.11 mm
Unit Weight 0.057419 oz

保証と返品

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