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CM150E3U-12H

Type: IGBT Module

在庫:8,657

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概要 CM150E3U-12H

Mitsubishi Electric's CM150E3U-12H power transistor module is a reliable and efficient solution for high-power switching applications in energy, transportation, and manufacturing industries. Its insulated gate bipolar transistor (IGBT) technology enables high switching speeds and low on-state voltage drop, contributing to improved efficiency and reduced power losses. Additionally, the built-in overcurrent protection circuit ensures safe operation under fault conditions, making it a secure choice for demanding applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series IGBTMOD™ Package Bulk
Product Status Obsolete Configuration Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V Current - Collector (Ic) (Max) 150 A
Power - Max 600 W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.2 nF @ 10 V
Input Standard NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Module Supplier Device Package Module

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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