D1007UK
Powerhouse transistor for high-frequency amplification and modulation
在庫：4,077
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部品番号 : D1007UK
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パッケージ/ケース : TO59
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Brand : TT ELECTRONICS
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Components Classification : RF FETs, MOSFETs
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日付シート : D1007UK データシート (PDF)
概要 D1007UK
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 40W – 28V – 500MHz PUSH–PULLFEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS •LOW Crss • USEFUL POat 1 GHz • LOW NOISE • HIGH GAIN – 13 dB MINIMUMAPPLICATIONS • HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS from 1 MHz to 1 GHz
主な特長
- SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Manufacturer | SEMELAB | Product Category | Module |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
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BUB323ZG
NPN Darlington Bipolar Power Transistor (BUB323ZG)
IRLS3036PBF
This MOSFET comes in a TO-263AB package and is suitable for high power applications
BLF578XR,112
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A
IRF612
Power MOSFET IRF612 designed for efficient switching operations with a maximum current of 2.6A and a resistance of 2.4ohm
IXXK110N65B4H1
TO-264 IGBT capable of handling 650 Volts at 250 Amps
IRFR4105ZPBF
N-channel HEXFET MOSFET with 24.5mOhms and 18nC capacitance
IRF3315PBF
The IRF3315PBF is a power MOSFET with an N-channel design capable of handling 150V and 23A in a TO220AB package
ATF-58143-TR1G
ATF-58143-TR1G FET RF 5V 2GHZ
STB40NF10T4
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
BC848ALT1G
Bipolar NPN Transistor