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D45H11

Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.575 $0.58
10 $0.463 $4.63
50 $0.408 $20.40
100 $0.353 $35.30
500 $0.319 $159.50
1000 $0.303 $303.00

在庫：7,692

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概要 D45H11

Designed for high-power applications, the D45H11 transistor is a dependable choice for both NPN and PNP configurations. Its robust construction and superior performance characteristics make it a go-to option for engineers seeking reliable power amplification and switching solutions. Whether utilized in switching regulators or power amplifiers, this transistor delivers consistent and stable operation, contributing to the overall efficiency and effectiveness of the circuit

主な特長

  • Low power consumption
  • Fast startup speed
  • High sensitivity detection
  • Ergonomic design

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

ECCN US EAR99 ECCN EU NEC
Packing Type Tube RoHs compliant Ecopack2
Grade Industrial Package Name TO-220

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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Q6016LH3

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Ruggedized TRIAC design ensures A RMS current handling and reliability
NTRV4101PT1G

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P-channel MOSFET rated for -20 volts, 3.2 amps, with an on-resistance of 85 milliohms
IRF630NPBF

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MOSFET with a voltage rating of 200V, a current rating of 9.5A, a resistance of 300mOhm, and a charge of 23.3nC
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The SI4948BEY-T1-E3 transistor features two P-channel MOSFETs in one component
IRFP31N50LPBF

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500V 31A MOSFET with 180mΩ resistance at 19A and 10V
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Dual-channel silicon transistor capable of handling 30 mA and 50 V, with NPN and PNP compatibility
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P-CHANNEL Silicon Power MOSFET, rated for 1.25 Amperes and 30 Volts, with a nominal resistance of 2.5 ohms, housed in a TO-205AD package
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1200V Transistor Module
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MOSFET, DUAL N CH, 30V, 6.3A, POWERPAKSO; Transistor Polarity:Dual N Channel + S
MRF6V12250HR3

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N-channel RF FET with a 100V rating, part number MRF6V12250HR3