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DMN63D8LDWQ-7

Small Signal Field-Effect Transistor

数量 単価(USD) 合計金額
5 $0.067 $0.34
50 $0.058 $2.90
150 $0.054 $8.10
500 $0.052 $26.00
3000 $0.049 $147.00
6000 $0.048 $288.00

在庫：6,463

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概要 DMN63D8LDWQ-7

Mosfet Array 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363

主な特長

  • Low On-Resistance: RDS(ON)
  • Low Gate Threshold Voltage
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Low Input/Output Leakage
  • ESD Protected Up To 2kV
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  • Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

応用

SWITCHING
Diodes Incorporated Inventory

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays Mfr Diodes Incorporated
Series Automotive, AEC-Q101 Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Product Status Not For New Designs Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Power - Max 300mW Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SOT-363 Base Product Number DMN63

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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IRFS3004-7PPBF

IRFS3004-7PPBF

TO-263CB package type
SI9801DY

SI9801DY

MOSFET with a 20V rating, 4.5/4A current, and 2W power dissipation
IRLR7821TRPBF

IRLR7821TRPBF

TO-251AA Packaged Silicon Power FET with 65A Continuous Drain Current
FMMT558TA

FMMT558TA

Transistor PNP 400V 0.15A SOT23
MJ15021

MJ15021

Transistor 3-pin TO-3 Tray PNP BJT 250V 4A 150000mW
IXFB40N110P

IXFB40N110P

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET
BLF278C

BLF278C

High voltage and high current capability
IRFPG50PBF

IRFPG50PBF

N-channel MOSFET,IRFPG50 6.1A 1000V
BF998E6327HTSA1

BF998E6327HTSA1

BF998E6327HTSA1 null SOT-143 MOSFETs ROHS
IRF7832PBF

IRF7832PBF

Transistor IRF7832PBF is a N-channel MOSFET with a voltage rating of 30V and a current rating of 20A in an 8-pin SOIC package