FF600R12KE7EHPSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray
在庫:7,668
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : FF600R12KE7EHPSA1
-
パッケージ/ケース : Module
-
Brand : Infineon
-
Components Classification : IGBT Modules
-
日付シート : FF600R12KE7EHPSA1 データシート (PDF)
概要 FF600R12KE7EHPSA1
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 FF600R12KE7EHPSA1 ドライバー、プロデュース Infineon. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 FF600R12KE7EHPSA1.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Dual |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.75 V |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Brand | Infineon Technologies |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | Chassis Mount |
Product Type | IGBT Modules | Factory Pack Quantity | 10 |
Subcategory | IGBTs | Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP | Part # Aliases | FF600R12KE7_E SP005568704 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1 EasyDUAL Module with CoolSiC™ Mosfet
FF150R12ME3G
The FF150R12ME3G IGBT module delivers a power output of 695W and can manage currents of up to 200A at 1
FF200R12KT3
ROHS certified Gate Drive ICs - FF200R12KT3
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Transistor Module
FF300R12MS4
High Current N-Channel IGBT Module rated at 1.2KV
FF600R07ME4B11BOSA1
MEDIUM POWER ECONO IGBT Modules
FFB2227A
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
FFB3904
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
ZXMP2120FFTA
The ZXMP2120FFTA MOSFET is a P-channel device suitable for various applications
ZXTN07045EFFTA
5V 4A SOT23F, PK
2N6328
Trans GP BJT NPN 100V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
AFT05MS003NT1
NXP - AFT05MS003NT1 - TRANSISTOR, RF, 30V, SOT-89-3
IKQ120N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-Channel 600V 160A 833W TO-247
IRFP4229PBF
IRFP4229PBF High-Voltage N-Channel MOSFET TO-247AC
IRFR3709ZPBF
MOSFET Transistor, N Channel, 86 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1.8 V, RoHS Compliant: Yes
IRF7301TRPBF
IRF7301TRPBF is an N-channel silicon MOSFET suitable for applications requiring a maximum voltage of 20V and a current of up to 5
IXTH20P50P
Power MOSFET IXTH20P50P: The IXTH20P50P is a power MOSFET packaged in TO-247, featuring P Channel configuration
ZVN3310FTA
Product ZVN3310FTA is a reel containing 3000 units of Diodes Inc
CM300DY-34A
Modules for high power switching with IGBT technology
SFP9Z34
High-Power P-Channel MOSFET with a Maximum Current of 18A, Operating at 60V Voltage, TO-220AB Package