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FF8MR12W2M1_B11

Ideal for motor drives and power conversion system

数量 単価(USD) 合計金額
1 $233.241 $233.24
30 $223.783 $6,713.49

在庫：9,821

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概要 FF8MR12W2M1_B11

The EasyDUAL™ 2B 1200 V, 8 mΩ half-bridge module is a cutting-edge product that integrates CoolSiC™ MOSFET technology, NTC temperature sensor, and PressFIT contact technology. The advanced design ensures efficient heat dissipation and reliable performance, making it an ideal solution for high-power applications. Additionally, the availability of Thermal Interface Material further enhances the thermal management capabilities of the module, allowing for seamless integration into various systems. The upcoming new generation M1H product, the FF6MR12W2M1H_B11, will continue to deliver the same level of innovation and quality, setting new benchmarks in the industry

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Infineon Product Category Discrete Semiconductor Modules
Product Power MOSFET Modules Type CoolSic MOSFET
Technology Si Vf - Forward Voltage 4.6 V
Vgs - Gate-Source Voltage 15 V Mounting Style Press Fit
Package / Case Module Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series Discrete IGBT4
Brand Infineon Technologies Configuration Dual
Fall Time 28 ns Id - Continuous Drain Current 150 A
Operating Supply Voltage - Pd - Power Dissipation 20 mW
Product Type Discrete Semiconductor Modules Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 mOhms
Rise Time 16.5 ns Subcategory Discrete Semiconductor Modules
Tradename CoolSic ~ EasyDUAL ~ PressFIT Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 57 ns Typical Turn-On Delay Time 21.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.45 V
Part # Aliases FF8MR12W2M1B11BOMA1 SP001617622

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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