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FQB22P10TM

QFET P-Channel transistor with 100V capacity

在庫：5,733

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概要 FQB22P10TM

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

主な特長

  • -22A, -100V, RDS(on) =125mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -11A
  • Low gate charge ( Typ.40nC)
  • Low Crss ( Typ. 160pF)
  • 100% avalanche tested
  • 175°C maximum junction temperature rating

応用

  • Special Occasions
  • Unique Designs
  • High Quality

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type D2PAK-3 / TO-263-2 Case Outline 418AJ
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 245
Container Type REEL Container Qty. 800
ON Target Y Channel Polarity P-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) -100
VGS Max (V) ±30 VGS(th) Max (V) -4
ID Max (A) -22 PD Max (W) 125
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 125 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 40
Ciss Typ (pF) 1170 Pricing ($/Unit) $0.8005Sample

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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