GT50J301
IGBT Transistors 3PL IGBT PP2 GT50J301
在庫:8,428
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部品番号 : GT50J301
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パッケージ/ケース : TO-3P(LH)-3
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ブランド : TOHSHIBA
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コンポーネントのカテゴリ : Single IGBTs
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日付シート : GT50J301 データシート (PDF)
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Series : GT50J301
概要 GT50J301
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONSThe 3rd Generation Enhancement−Mode High Speed : tf= 0.30µs (Max.) Low Saturation Voltage : VCE (sat)= 2.7V (Max.) FRD Included Between Emitter and Collector
![](/files/uploads/product/b/9d18b13262ae406aa6390d9f4f4a82c2.webp)
主な特長
HIGH SPEED応用
POWER CONTROL仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Package / Case | TO-3P(LH)-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | GT50J301 |
Brand | Toshiba | Continuous Collector Current Ic Max | 50 A |
Height | 26 mm | Length | 20.5 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Subcategory | IGBTs |
Width | 5.2 mm |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
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