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HFA3127B

Compact RF amplifier component for wireless devices

数量 単価(USD) 合計金額
1 $14.116 $14.12
200 $5.464 $1,092.80
500 $5.271 $2,635.50
1000 $5.177 $5,177.00

在庫：8,592

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概要 HFA3127B

RF Transistor 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Surface Mount 16-SOIC

主な特長

  • NPN Transistor (fT). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
  • NPN Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
  • NPN Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
  • PNP Transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz
  • PNP Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
  • PNP Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
  • Noise Figure (50Ω) at 1.0GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
  • Collector-to-Collector Leakage. . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA
  • Complete Isolation Between Transistors
  • Pin Compatible with Industry Standard 3XXX Series
  • Arrays

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT Transistor Polarity NPN
Configuration Quint Collector- Emitter Voltage VCEO Max 8 V
Collector- Base Voltage VCBO 12 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.5 V
Maximum DC Collector Current 65 mA Pd - Power Dissipation 150 mW
Gain Bandwidth Product fT 8 GHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 125 C Brand onsemi / Fairchild
DC Collector/Base Gain hfe Min 40 at 10 mA, 2 V Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors Technology Si

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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100 V Voltage Rating
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Modules IGBT 1200V 150A IGBT
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It features a compact SOT-23 package
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