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IGT60R070D1ATMA1

INFINEON IGT60R070D1ATMA1: A power MOSFET featuring N-channel configuration

在庫:9,759

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概要 IGT60R070D1ATMA1

N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series CoolGaN™ Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA Vgs (Max) -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 400 V Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-HSOF-8-3 Package / Case 8-PowerSFN
Base Product Number IGT60R070

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

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    返品・交換:90日以内

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