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IRF5810TRPBF

Dual P-channel MOSFET

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概要 IRF5810TRPBF

The IRF5810TRPBF MOSFET offers high performance in a compact TSOP-6 package. With a drain-source voltage (Vds) rating of -20V and a continuous drain current (Id) capability of -2.9A, it suits a wide range of applications where efficient power management is crucial. Its dual P-channel configuration enhances versatility, while the RoHS compliance ensures environmental responsibility. Operating with a low on-resistance (Rds(on)) of 90mohm at a test voltage (Vgs) of -4.5V, this MOSFET guarantees minimal power loss and improved efficiency in circuit designs. Whether utilized in consumer electronics, automotive systems, or industrial controls, its reliability and performance make it a preferred choice for engineers seeking optimal power handling solutions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TSOP-6 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 2.9 A Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V
Qg - Gate Charge 6.4 nC Pd - Power Dissipation 960 mW
Brand Infineon Technologies Configuration Dual
Height 1.1 mm Length 3 mm
Moisture Sensitive Yes Product MOSFET Small Signal
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 P-Channel
Width 1.5 mm Part # Aliases SP001574802
Unit Weight 0.000705 oz

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