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IRF7820PBF

With a gate charge of 29 nC, this MOSFET is suitable for various power applications

在庫:6,054

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概要 IRF7820PBF

N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

主な特長

  • High-speed switching
  • Fully RoHS compliant
  • No lead (Pb), no halogen

応用

  • High power efficiency
  • Compact size
  • Excellent thermal performance

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOIC-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Id - Continuous Drain Current 3.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 78 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V Qg - Gate Charge 28 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2.5 W Brand Infineon Technologies
Configuration Single Fall Time 12 ns
Forward Transconductance - Min 5 S Height 1.75 mm
Length 4.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 3.2 ns Factory Pack Quantity 95
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 14 ns Typical Turn-On Delay Time 7.1 ns
Width 3.9 mm Part # Aliases SP001570478
Unit Weight 0.019048 oz

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    返品・交換:90日以内

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