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IRF7855PBF

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC

在庫:7,814

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概要 IRF7855PBF

N-Channel 60 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOIC-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 12 A Rds On - Drain-Source Resistance 9.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Qg - Gate Charge 26 nC
Pd - Power Dissipation 2.5 W Brand Infineon Technologies
Configuration Single Height 1.75 mm
Length 4.9 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3800 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 3.9 mm
Part # Aliases SP001575224 Unit Weight 0.019048 oz

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