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IRFD1Z3

400mA, 60V N-channel MOSFET designed for small signal amplification purposes

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.532 $0.53
200 $0.206 $41.20
500 $0.199 $99.50
1000 $0.195 $195.00

在庫:6,218

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概要 IRFD1Z3

The IRFD1Z3 MOSFET transistor offers exceptional performance in low-power applications, boasting a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 1A. Encased in a D-PAK surface mount package, it facilitates effortless installation on printed circuit boards

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Bulk Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)

保証と返品

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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