IRFH5255TRPBF

Name: IRFH5255TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 7nC

在庫：8,581

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N-Channel 25 V 15A (Ta), 51A (Tc) 3.6W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	HEXFET®	Product Status	Obsolete
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta), 51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	988 pF @ 13 V
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 26W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Package / Case	PQFN-8	Manufacturer	Infineon
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Id - Continuous Drain Current	51 A	Rds On - Drain-Source Resistance	6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.35 V
Qg - Gate Charge	7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	3.6 W
Channel Mode	Enhancement	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Height	0.83 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Width	5 mm
Part # Aliases	SP001560380	Unit Weight	0.004308 oz

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