IRFH8201TRPBF

Name: IRFH8201TRPBF
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (10 reviews)

This product is a N-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor designed for high-power applications

在庫：9,653

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N-Channel 25 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	PQFN-8
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.8 V	Qg - Gate Charge	111 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	156 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	StrongIRFet	Series	IRFH8
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	22 ns	Forward Transconductance - Min	181 S
Height	0.83 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	54 ns
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	31 ns
Typical Turn-On Delay Time	27 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.004308 oz

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