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IRG4BC40W

Packaged in a tube for protection and convenient storage, this transistor chip is reliable and durable for long-term use

在庫:9,485

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概要 IRG4BC40W

The IRG4BC40W is a top-of-the-line Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) that boasts a maximum voltage rating of 1200 V and a maximum current rating of 40 A. Its TO-220AB package makes mounting and heat dissipation a breeze, ensuring efficient performance in high power switching applications. With a low on-state voltage drop, this IGBT minimizes power dissipation and enhances overall efficiency. Its fast switching speed allows for quick turn-on and turn-off times, making it a reliable choice for demanding industrial environments

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Power - Max 160 W Switching Energy 110µJ (on), 230µJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 98 nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/100ns Test Condition 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Supplier Device Package TO-220AB

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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