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IRG7IC28UPBF

channel, 600v v(b)rces, 25a i(c)

在庫：5,087

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概要 IRG7IC28UPBF

主な特長

  • Advanced Trench IGBT Technology
  • Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications
  • Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSE™) for improved panel efficiency
  • High repetitive peak current capability
  • Lead Free package

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Package / Case TO-220-3 Mounting Style Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V Continuous Collector Current at 25 C 25 A
Pd - Power Dissipation 40 W Brand Infineon / IR
Product Type IGBT Transistors Subcategory IGBTs
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

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