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IRGP4068D-EPBF

N-channel insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip with a voltage rating of 600V

在庫:9,822

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概要 IRGP4068D-EPBF

With the IRGP4068D-EPBF, reliability is never in question. Its advanced design and superior components make it a dependable choice for critical industrial processes. Whether you need to drive motors or tackle high power tasks, this IPM is up for the challenge. Experience peace of mind knowing that your equipment is safeguarded against potential risks, thanks to the built-in over-temperature protection feature

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247AD-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.14 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 96 A
Pd - Power Dissipation 330 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Series Thyristor/Diode Module Brand Infineon Technologies
Height 20.7 mm Length 15.87 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 25
Subcategory IGBTs Width 5.31 mm
Unit Weight 0.229281 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金:90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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