IXTA56N15T
IXTA56N15T MOSFET: 56A, 150V, 36mΩ Rds
在庫:3,471
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部品番号 : IXTA56N15T
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パッケージ/ケース : D2PAK-3
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Brand : Ixys Integrated Circuits Division
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Components Classification : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : IXTA56N15T データシート (PDF)
概要 IXTA56N15T
The IXTA56N15T Trench Gate Power MOSFET is a top choice for low voltage, high current applications due to its incredibly low RDS(on) and minimal power dissipation. With a wide operating junction temperature range of -40 °C to 175 °C, these MOSFETs are perfect for demanding environments like automotive applications. Their reliability and efficiency make them a standout option for industries where performance is crucial
主な特長
- Suitable for DC-DC converters
- Flyback converter applications
- Switch mode power supplies
- Automotive and industrial control systems
応用
- Modular Power Supply Units
- Innovative DC Converter Technology
- Fast Charging Battery Solutions
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Drain-Source Voltage (V) | 150 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.036 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 56 | Gate Charge (nC) | 34 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 2250 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.5 |
Configuration | Single | Package Type | TO-263 |
Typical Reverse Recovery Time (ns) | 100 | Power Dissipation (W) | 300 |
Sample Request | No | Check Stock | Yes |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
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