KSE350STU
PNP Silicon Transistor with Epitaxial Technology
在庫：5,429
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部品番号 : KSE350STU
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パッケージ/ケース : TO126-3
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ブランド : Onsemi
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コンポーネントの分類 : Single Bipolar Transistors
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日付シート : KSE350STU データシート (PDF)
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Series : KSE350
概要 KSE350STU
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126-3
主な特長
- Excellent EMI Filtering
- Suitable for Audio Applications
- High Power Density
- Low Saturation Current
応用
- Great product, highly recommended!
- Works perfectly for my needs.
- Easy to use, no complaints here.
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Status | Obsolete | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-126-3 | Case Outline | 340AS |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | TUBE | Container Qty. | 1920 |
| ON Target | N | Polarity | PNP |
| Type | General Purpose | IC Cont. (A) | 0.5 |
| VCEO Min (V) | 300 | VCBO (V) | 300 |
| VEBO (V) | 5 | hFE Min | 30 |
| hFE Max | 240 | PTM Max (W) | 20 |
| Pricing ($/Unit) | Price N/A |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
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KSC2752OSTU
ON Semi KSC2752OSTU NPN Transistor, 500 mA, 400 V, 3-Pin TO-126
IHW20N135R5XKSA1
288W 40A 1.35kV TO-247-3 IGBTs ROHS
IHW30N160R5XKSA1
263W 60A 1.6kV FS TO-247-3 IGBTs (Field Stop) - ROHS Compliant
IKP20N60TXKSA1
Overview of IKP20N60TXKSA1: A member of the IKP20N60T Series, featuring 600V 41A Through Hole IGBT TrenchStop technology in a PG-TO-220-3 housing
IKW40N120H3FKSA1
High Power Transistors
IPP039N04LGXKSA1
N-channel 40-volt MOSFET with a current rating of 80 amps in a TO-220 package
IPP045N10N3GXKSA1
INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Through Hole
IPP200N15N3GXKSA1
Product Summary: This MOSFET
IPP60R022S7XKSA1
N-channel 600V 23A Trans MOSFET in tube packaging
IPW60R017C7XKSA1
600V N-channel Transistor MOSFET with 109A rating in TO-247 package
ST2310DHI
ST2310DHI is a pre-biased NPN high-voltage fast-switching bipolar transistor
ZXMN6A08E6TA
SOT23-6-packaged N-Channel MOSFET rated for up to 60V and capable of handling currents of 3.5A
IXTH36N50P
The specifications of product IXTH36N50P include a 36
MTP23P06VG
High current Power MOSFET rated at 23 Amps and 60 Volts
APT50GN60BG
APT50GN60BG is a Field Stop IGBT with ultra low VCE(ON) that operates at 600V
BD788G
4.0 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor, TO-225, 500-BLKBX
BC847BW-7-F
Transistor BC847BW-7-F is an NPN bipolar component with a maximum voltage rating of 45V and a current capability of 0
IRFI840GPBF
This MOSFET is packaged in a TO-220F-3 form factor and is compliant with the ROHS directive
PBHV8540T,215
Bipolar Junction Transistor NPN-Type with 400V Voltage Rating
RFD14N05
N-channel power MOSFET TO-251AA