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MPS6534

PNP TO-92 Bipolar Junction Transistor

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.132 $0.13
200 $0.052 $10.40
500 $0.050 $25.00
1000 $0.049 $49.00

在庫:5,229

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概要 MPS6534

Featuring a general-purpose design, the MPS6534 is a PNP BJT that is commonly utilized in a wide array of low-power switching and amplification applications. Its impressive specs include a maximum collector current (IC) rating of 500mA and a maximum collector-emitter voltage (VCEO) rating of -30V, which enable it to effectively manage moderate power levels. Encased in a TO-92 package, this transistor is well-suited for small-signal applications. What sets the MPS6534 apart is its low saturation voltage and high current gain, making it an ideal choice for low-power switching applications. Additionally, its low noise figure allows for optimal performance in low-noise amplification applications. Notably, the transistor boasts a transition frequency of 250MHz, showcasing its ability to operate at relatively high frequencies. Designed to operate within a wide temperature range, typically spanning from -55°C to 150°C, the MPS6534 is tailored for versatility. With a maximum power dissipation of 625mW, it is well-equipped to handle diverse power levels, further solidifying its appeal

主な特長

  • High voltage rating (30V)
  • General purpose PNP transistor
  • High current capability
  • Suitable for audio amplification and switching applications

応用

  • Audio circuits
  • Sensor circuits
  • Switching circuits

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-92-3
Transistor Polarity PNP Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V Collector- Base Voltage VCBO 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO 4 V Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Maximum DC Collector Current 800 mA Pd - Power Dissipation 625 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series MPS6534 Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 800 mA DC Collector/Base Gain hfe Min 90
DC Current Gain hFE Max 270 Height 5.33 mm
Length 5.2 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 2000 Subcategory Transistors
Technology Si Width 4.19 mm
Unit Weight 0.007090 oz

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