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MRFE6S9125NBR1

LDMOS RF Power Transistor with frequency range of 865-960 MHz

数量 単価(USD) 合計金額
1 $188.822 $188.82
200 $75.342 $15,068.40
500 $72.824 $36,412.00
1000 $71.580 $71,580.00

在庫：8,019

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概要 MRFE6S9125NBR1

RF Mosfet 28 V 950 mA 880MHz 20.2dB 27W TO-272 WB-4

主な特長

  • Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
  • Internally Matched for Ease of Use
  • Integrated ESD Protection
  • 225°C Capable Plastic Package
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category RF MOSFET Transistors RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel Technology Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 500 mV, 66 V Operating Frequency 880 MHz
Gain 20.2 dB Output Power 27 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TO-272-4
Brand NXP Semiconductors Channel Mode Enhancement
Configuration Single Height 2.64 mm
Length 23.67 mm Moisture Sensitive Yes
Number of Channels 1 Channel Product Type RF MOSFET Transistors
Series MRFE6S9125N Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs Type RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage - 500 mV, 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.1 V
Width 9.07 mm Part # Aliases 935309651528
Unit Weight 0.067412 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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DMN3731U-7

DMN3731U-7

Description 2: DMN3731U-7
R6002END3TL1

R6002END3TL1

600V N Channel MOSFET with 1.7A current rating
BSS83,215

BSS83,215

NXP presents BSS83
BSS84PW H6327

BSS84PW H6327

P-Channel 60V 0.15A Automotive MOSFET in SOT-323 Package
NVMTS0D7N06CLTXG

NVMTS0D7N06CLTXG

Operating at temperatures up to 175°C, this MOSFET ensures reliable operation even in harsh environments
SI4410BDY

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30-Voltage N-Channel MOSFET
AOD2910E

AOD2910E

AOD2910E is a field-effect transistor optimized for N-channel operation, designed to manage voltages up to 100 volts and currents up to 11 amps
IRF3315PBF

IRF3315PBF

The IRF3315PBF is a power MOSFET with an N-channel design capable of handling 150V and 23A in a TO220AB package
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

60V 305mA MOSFET with a power rating of 200mW
KST2222AMTF

KST2222AMTF

KST2222AMTF Transistor