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MT29F2G16ABBEAH4:E

28 megabytes x 16, 25 nanoseconds, ball grid array package, compact size

在庫:7,055

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概要 MT29F2G16ABBEAH4:E

Featuring a convenient serial peripheral interface (SPI) for seamless communication with host systems, the MT29F2G16ABBEAH4:E also prioritizes data security with its built-in hardware protection measures. This ensures that sensitive information remains safe from unauthorized access. Moreover, the inclusion of error correction code (ECC) functionality further enhances data reliability on this flash memory device

主な特長

  • Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.2-compliant1
  • Multiple-level cell (MLC) technology
  • Organization
  • – Page size x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
  • – Block size: 256 pages (2048K + 112K bytes)
  • – Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane
  • – Device size: 64Gb: 4096 blocks;
  • 128Gb: 8192 blocks;
  • 256Gb: 16,384 blocks;
  • 512Gb: 32,786 blocks
  • Synchronous I/O performance
  • – Up to synchronous timing mode 5
  • – Clock rate: 10ns (DDR)
  • – Read/write throughput per pin: 200 MT/s
  • Asynchronous I/O performance
  • – Up to asynchronous timing mode 5
  • tRC/tWC: 20ns (MIN)
  • Array performance
  • – Read page: 50µs (MAX)
  • – Program page: 1300µs (TYP)
  • – Erase block: 3ms (TYP)
  • Operating Voltage Range
  • – VCC: 2.7–3.6V
  • – VCCQ: 1.7–1.95V, 2.7–3.6V
  • Command set: ONFI NAND Flash Protocol
  • Advanced Command Set
  • – Program cache
  • – Read cache sequential
  • – Read cache random
  • – One-time programmable (OTP) mode
  • – Multi-plane commands
  • – Multi-LUN operations
  • – Read unique ID
  • – Copyback
  • First block (block address 00h) is valid when shipped
  • from factory. For minimum required ECC, see
  • Error Management (page 109).
  • RESET (FFh) required as first command after power
  • Operation status byte provides software method for
  • detecting
  • – Operation completion
  • – Pass/fail condition
  • – Write-protect status
  • Data strobe (DQS) signals provide a hardware method
  • for synchronizing data DQ in the synchronous
  • interface
  • Copyback operations supported within the plane
  • from which data is read
  • Quality and reliability
  • – Data retention: 10 years
  • – Endurance: 5000 PROGRAM/ERASE cycles
  • Operating temperature:
  • – Commercial: 0°C to +70°C
  • – Industrial (IT): –40ºC to +85ºC
  • Package
  • – 52-pad LGA
  • – 48-pin TSOP
  • – 100-ball BGA

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category NAND Flash RoHS Details
Series MT29F Brand Micron
Product NAND Flash Product Type NAND Flash
Factory Pack Quantity 1260 Subcategory Memory & Data Storage

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。