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NTE2337

The NTE2337 is a Power Bipolar Transistor capable of handling a maximum collector current of 7A and a breakdown voltage of 500V

在庫：7,024

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概要 NTE2337

The NTE2337 transistor is a versatile component designed for a wide range of applications. With a maximum collector-to-emitter voltage of 60V and a continuous collector current of 500mA, this NPN silicon transistor is suitable for general purpose amplifier and switching tasks. Its TO-92 package and power dissipation rating of 625mW make it a reliable choice for various electronic designs

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Bag Product Status Active
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 100mA, 5V
Power - Max 2 W Frequency - Transition 20MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Supplier Device Package TO-220

保証と返品

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