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NTE2525

Described as a PNP silicon transistor, NTE2525 operates with a maximum voltage of 60V and can handle currents up to 8A

在庫：6,331

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概要 NTE2525

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 8 A 130MHz 1 W Through Hole TO-251

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Bag Product Status Active
Transistor Type PNP Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Power - Max 1 W Frequency - Transition 130MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Supplier Device Package TO-251

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・交換：90日以内

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