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PBSS4120T

Bipolar Transistors - BJT

在庫：5,992

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概要 PBSS4120T

DESCRIPTIONNPN BISS transistor in a SOT23 plastic package providing ultra low VCEsat and RCEsat parameters.PNP complement: PBSS5120T.FEATURES• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat• High collector current capability IC and ICM• High efficiency leading to less heat generation• Reduced printed-circuit board requirements• Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.APPLICATIONS• Power management – DC/DC conversion – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting.• Peripheral driver – Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs) – Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

主な特長

  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High efficiency leading to less heat generation
  • Reduced printed-circuit board requirements
  • Cost effective alternative to MOSFETs in specific
  • applications.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors Mfr Nexperia USA Inc.
Series Automotive, AEC-Q100 Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Product Status Active Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V Power - Max 480 mW
Frequency - Transition 100MHz Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package TO-236AB Base Product Number PBSS4120

保証と返品

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