RW1A030APT2CR
MOSFET Transistor P-Channel, 12 Volts, 3 Amperes
在庫:8,692
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : RW1A030APT2CR
-
パッケージ/ケース : SMD-6
-
ブランド : Rohm Semiconductor
-
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
-
日付シート : RW1A030APT2CR データシート (PDF)
-
Series : RW1A030AP
概要 RW1A030APT2CR
P-Channel 12 V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-563T-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
Id - Continuous Drain Current | 3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Qg - Gate Charge | 22 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 700 mW | Channel Mode | Enhancement |
Series | RW1A030AP | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Single | Fall Time | 75 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.8 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 30 ns | Factory Pack Quantity | 8000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 240 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Part # Aliases | RW1A030AP | Unit Weight | 0.000212 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
![SI4425DDY-T1-GE3](/img/package/soic8.jpg)
SI4425DDY-T1-GE3
30V P-Channel MOSFET with 19.7A Rating in 8-Pin SOIC Package
![2N1671B](/img/package/can3.jpg)
2N1671B
TO-5 3-Pin Silicon Unijunction Transistor
![ZXT790AKTC](/img/package/dpak.jpg)
ZXT790AKTC
PNP Bipolar Transistor, Diodes Inc ZXT790AKTC, 3 A, 40 V, 3-Pin DPAK
![IRLI540NPBF](/img/package/to220.jpg)
IRLI540NPBF
TO-220AB Full-Pak Tube Packaging for N-channel Power MOSFET with 100V and 23A Ratings
![JANTX2N3700](/files/uploads/product/s/430c07afddba4a10ac97aa7ee11cc7b7.webp)
JANTX2N3700
Transistors for low power applications
![MJD44E3T4G](/img/package/dpak.jpg)
MJD44E3T4G
MJD44E3T4G is a robust NPN Darlington transistor designed for applications requiring high current amplification
![MJE15028G](/img/package/to220.jpg)
MJE15028G
The MJE15028G transistor is an NPN type suitable for a variety of applications
![IRLR2705TRPBF](/files/uploads/product/s/a3d2d303-e556-4e59-1bc0-08dbbf1058dd.webp)
IRLR2705TRPBF
N-type Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) suitable for use as a switch or amplifier in electronic circuits
![AOD3N50](/img/package/to252.jpg)
AOD3N50
N-Channel Power MOSFET with 500V Voltage Rating
![APT60M60JFLL](/img/package/sot.jpg)
APT60M60JFLL
Discrete Semiconductor Module APT60M60JFLL featuring FREDFET MOS7