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SI3443DDV-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R

在庫：5,777

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概要 SI3443DDV-T1-GE3

Product SI3443DDV-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor designed for various electronic applications. With a maximum drain current of 4A and a low voltage rating of 20V, this P-channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET offers reliable performance in a compact form factor. The transistor features a single element design and comes in a MO-193AA package, making it suitable for high-density circuit board layouts

主な特長

  • –4 A, –20 V. RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = –4.5 V
  • RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = –2.5 V
  • Fast switching speed.
  • Low gate charge (7.2 nC typical).
  • High performance trench technology for extremely
  • low RDS(ON).
  • SuperSOT™-6 package: small footprint (72% smaller
  • than standard SO-8); low profile (1mm thick)

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TSOP-6 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 4 A Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.7 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI3 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 18 ns
Height 1.1 mm Length 3.05 mm
Product Type MOSFET Rise Time 25 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 43 ns
Typical Turn-On Delay Time 27 ns Width 1.65 mm
Part # Aliases SI3443DDV-T1-BE3 Unit Weight 0.000705 oz

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