SP000100773
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
在庫:3,803
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部品番号 : SP000100773
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パッケージ/ケース : Module
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Brand : Infineon
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Components Classification : IGBT Modules
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日付シート : SP000100773 データシート (PDF)
概要 SP000100773
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 SP000100773 ドライバー、プロデュース Infineon. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 SP000100773.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Modules | Brand | Infineon Technologies |
Product Type | IGBT Modules | Subcategory | IGBTs |
Part # Aliases | FZ600R12KS4HOSA1 FZ600R12KS4 FZXR12K4H |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
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特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
BSP170PH6327XTSA1
SIPMOS transistor BSP170PH6327XTSA1 designed for high efficiency and low power consumption
SPW35N60C3
Infineon SPW35N60C3 N-channel MOSFET Transistor, 34.6 A, 650 V, 3-Pin TO-247
BSP317PH6327XTSA1
Negative polarity semiconductor component
BSP149H6327XTSA1
Ruggedized transistor suitable for harsh industrial and automotive environment
BSP89H6327XTSA1
BSP89H6327XTSA1
IRF1018ESPBF
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IRL640SPBF
IRL640SPBF, N-channel MOSFET Transistor, 17 A 200 V, 3-Pin D2PAK
IRF840ASPBF
Featuring a voltage tolerance of 500V and a current capacity of 8A, the IRF840ASPBF MOSFET exhibits an on-resistance of 850mΩ at 4
SPB17N80C3ATMA1
N-Channel 800V 17A Power MOSFET
SPD15P10PLGBTMA1
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4A/3.1A current rating
DMG3414UQ-7
SOT23 MOSFET with a breakdown voltage of 8V to 24V, packaged in tape and reel with a quantity of 3,000
BTA08-800BW
TRIAC rated at 800V and 85A with TO-220AB package
ACS102-5T1
500V TRIAC diode capable of handling currents up to 0.2A RMS, enclosed in an 8-pin SO N Tube casing
PDTA114TT,215
Describing PDTA114TT,215: It belongs to the PDTA114T series, incorporating PNP transistors with built-in resistors
MW6S010GNR1
RF Power Transistor with a typical gain of 18 dB at 960 MHz and a power output of 10 W
IRF7842TRPBF
18 A, 40 V HEXFET
G3R40MT12D
G3R40MT12D, a Power Field-Effect Transistor, is designed for efficient power management
MRF8372
Bipolar Transistor for RF Communication Devices
BSS84PH6433XTMA1
This MOSFET is designed to be used in automotive electronics due to its specific characteristics