• STD3NK80ZT4 DPAK
STD3NK80ZT4 DPAK

STD3NK80ZT4

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

在庫：6,001

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください STD3NK80ZT4 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 STD3NK80ZT4

STMicroelectronics introduces the STD3NK80ZT4 MOSFETs, a new generation of high voltage power devices designed to meet the needs of demanding applications. These N-channel Power MOSFETs feature Zener protection and leverage the SuperMESH™ technology to deliver reduced on-resistance compared to traditional options. This results in improved efficiency and performance for engineers working on high power projects. Additionally, the STD3NK80ZT4 MOSFETs are engineered to handle high dv/dt levels, ensuring reliable operation under challenging conditions. This series of MOSFETs complements ST's existing range of high voltage components, including the groundbreaking MDmesh™ products, providing customers with a comprehensive selection of solutions for their power management challenges

STD3NK80ZT4

主な特長

  • Safe and reliable operation guaranteed
  • Simple and intuitive user interface
  • Complies with international safety standards

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STD3NK80ZT4 Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Part Package Code TO-252
Package Description SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 Pin Count 3
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 50 Weeks Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Additional Feature AVALANCHE RATED Avalanche Energy Rating (Eas) 170 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 800 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5 A Drain Current-Max (ID) 2.5 A
Drain-source On Resistance-Max 4.5 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252 JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 70 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。