• packageimg
packageimg

TIP106

Trans Darlington PNP 80V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.298 $0.30
200 $0.115 $23.00
500 $0.112 $56.00
1000 $0.110 $110.00

在庫：6,116

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください TIP106 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 TIP106

With its reliable performance and versatile design, the TIP106 Darlington Bipolar Power Transistor is a popular choice for electronic hobbyists and professionals who require dependable amplification and switching capabilities. Its complementary devices, the TIP105 and TIP107, offer a comprehensive solution for a wide range of electronic applications

主な特長

  • High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 mAdc
  • Collector-Emitter Sustaining Voltage--@ 30 mAdc
    VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)-TIP100, TIP105
    VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)-TIP101, TIP106
    VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)-TIP102, TIP107
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc
    VCE(sat)= 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc
  • Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
  • TO-220 AB Compact Package
  • Pb-Free Packages are Available

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer onsemi Product Category Darlington Transistors
RoHS N Configuration Single
Transistor Polarity PNP Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Maximum DC Collector Current 8 A Maximum Collector Cut-off Current 50 uA
Pd - Power Dissipation 2 W Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Brand onsemi
Continuous Collector Current 8 A DC Collector/Base Gain hfe Min 200
Height 9.28 mm Length 10.28 mm
Product Type Darlington Transistors Factory Pack Quantity 50
Subcategory Transistors Width 4.82 mm
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

2SC4153

2SC4153

NPN Bipolar Junction Transistor 120V 7A TO-220F Package
IRFR13N20DPBF

IRFR13N20DPBF

N-channel power MOSFET with a voltage rating of 200V and a current handling capacity of 13A, packaged in a DPAK configuration
IRGB20B60PD1PBF

IRGB20B60PD1PBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 215000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
NDUL03N150CG

NDUL03N150CG

1500V N-Channel Power MOSFET featuring a 2.5A current rating, 10.5 ohm resistance, TO-3PF-3L package, and 30-tube packaging
SST2222AT116

SST2222AT116

3-Pin SST NPN Transistor manufactured by ROHM, model SST2222AT116, with a rated current of 600 mA and a rated voltage of 40 V
FDC3616N

FDC3616N

100V PowerTrench MOSFET for efficient power handling
SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3

Low on-resistance of 7mΩ at 10V for efficient operation
BSC072N03LDG

BSC072N03LDG

With its dual N-Channel configuration, this Power Mosfet offers efficient power management in various applications
SSM3K15AFU,LF

SSM3K15AFU,LF

Low-frequency MOSFET
ZVN4106FTA

ZVN4106FTA

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor N-Channel 60V